【摘要】管式 PECVD 是晶体硅电池制备中的关键设备，主要完成电池片的减反膜制备，在镀膜工艺中，反应室中的气流状态，对成膜的均匀性及质量有很大影响。本文对管式 PECVD 反应室的气体的流动状态进行仿真分析，并根据现场相应的一些工艺数据和实际情况，探讨反应室的进气方式、尾部导流板的结构以及尾部抽气口的布置与硅片镀膜均匀性的关系，从而对反应室的进气及尾部抽气结构进行相应优化。