【摘要】随着新能源发电、储能及柔性输配电技术快速发展，SiC MOSFET 功率模块逐渐向高功率密度、高频率和高结温方向演进，封装可靠性已成为影响电力电子装备安全稳定运行的重要因素。针对 SiC 模块长期服役中存在的芯片连接层疲劳、界面分层、互连结构老化及热应力集中等问题，结合热膨胀失配与功率循环寿命理论，分析温度循环、材料参数、制造缺陷和任务剖面对封装可靠性的影响，并从银烧结互连、双面散热、制造质量控制、状态监测及寿命预测等方面提出提升策略，为 SiC 功率模块封装设计与可靠性研究提供参考。