【摘要】本文采用八带 k·p 模型计算了覆盖有 GaAsSb 的 InAs/GaAs 量子点的载流子能量、跃迁能量和载流子概率密度。模拟结果表明， Sb 组分增加主要影响了量子点的空穴能量，并最终导致量子跃迁能量下降。当 Sb 组分大于 0.14，由 I 型量子点转变为 II 型量子点，出现载流子的空间分离，即电子被限制在量子点中而空穴被限制在覆盖层中，电子空穴空间重叠积分迅速减小，从而提高载流子寿命，这对提高量子点中间带太阳能电池的转化效率具有重要意义。