中国设备工程论文文库

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外延Ni薄膜及其各向异性磁电阻性能分析

外延Ni薄膜及其各向异性磁电阻性能分析

时间:2023-02-13 作者:江奕天,李星星,张昕
【摘要】本文分析了采用磁控溅射法在云母衬底外延生长Ni薄膜,结果表明,在不高于400℃时Ni薄膜可成功外延,Ni薄膜具有各向异性磁电阻效应,400℃制备的Ni薄膜各向异性磁电阻率达1.72%。此外,在曲率半径为10mm的条件下,经过104次弯曲循环后,各向异性磁电阻性能没有明显退化。
关键词:磁控溅射;外延生长;各向异性磁电阻
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