【摘要】正文以正方形单胞为例，较系统地分析了 VDMOSFET 的特征导通电阻 Ron 与结构参数之间的关系。重点讨论了 N 沟道VDMOSFET 的 P- 体扩散区结构 Xjp- 和栅氧化物厚度 Tox 对器件特性导通电阻 Ron 的影响，给出了多晶硅窗口区尺寸 Lw 和多晶区尺寸 Lp 的最佳化设计比值与 Ron 的关系，最后阐述了研究讨论的结构。